高B / T设施

Bays 2和3在高B / T设施中 Bays 2和3在高B / T设施中

高B / T(磁场/温度)设施满足希望在高磁场(最多16.5个Tesla)和在非常低的温度(低至0.5 mk)的实验的用户的需求。它位于盖恩斯维尔的佛罗里达大学,它是物理部门的Microkelvin实验室的一部分。设施中的教师与用户在需要时与用户一起使用。


高B / T磁铁和仪器


佛罗里达州盖斯维尔地图

“实验......是我第一次与NHFML研究人员合作,获得机器时间,在超低温度下进行AC磁性度测量。在这个程序中,一切都在进展顺利,我们还没有遇到任何问题。实验结果也是如此完美。我们希望能够在NHFML设施中有更多的机会进行良好的测量。“

-孙雪峰,中国科学技术大学,2012

怎样申请

我们的磁铁对所有科学家们开放 - 免费 - 通过竞争流程,我们在全年接受提案。

考虑在Maglab高B / T设施处考虑磁体时间提案的用户被敦促联系此电子邮件地址受到垃圾邮件程序的保护。您需要启用Javascript来查看它。(或其他佛罗里达大学附属教师),当地工作人员此电子邮件地址受到垃圾邮件程序的保护。您需要启用Javascript来查看它。此电子邮件地址受到垃圾邮件程序的保护。您需要启用Javascript来查看它。(bay3),或此电子邮件地址受到垃圾邮件程序的保护。您需要启用Javascript来查看它。(托架2)超出磁体时间的请求,以验证实验的可行性,电池设计,冷却能力,所需设备等的可用性。通常可以在实验细胞处耐受的最大热负荷是〜5 nW。PDF.查看提案示例

  1. 准备文件
    需要一份提案和事先的结果报告。
  2. 创建用户配置文件
    返回的用户只需要登录。
  3. 网上提交申请
    上传文件并提供拟实验的详细信息。
  4. 报告您的结果
    在年底之前,提交关于你的实验结果的出版物的信息。

请查看Maglab用户策略和程序PDF.高话务员用户手册在提交提案和实验或联系设施主任之前马克梅绍有问题。看法用户常见问题

最新的科学突出


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    2021年1月19日
    强相互作用二维孔洞中Wigner晶体的早期形成

    这篇文章重点报道了在极低密度的二维系统中,人们对电子晶体(维格纳晶体)的转变仍然知之甚少,在低温下可以观察到它是磁场的函数。这个实验发现了由磁场诱导的自旋排列引起的维格纳晶体惊人的稳定。这种电敏感的样品需要超低噪声环境和高B/T设备可用的实验技术。

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联系High B / T设施主任此电子邮件地址受到垃圾邮件程序的保护。您需要启用Javascript来查看它。同胞谁是使用高B / T设施的专家。

最后修改于2020年4月17日